Page 59 - Antrieb

In der Kollektor-Basis-Grenzschicht werden zusätzliche Ladungsträger gespeichert 
Schaltdauer wird größer

Beim Übersteuern sind unbedingt
die Grenzwerte des Transistors zu beachten (Datenblatt)

IB = (IC/B)*3 (Übersteuerungsfaktor)
IB = (5A/20)*3 = 0.75 A
RB = (UB-UBE)/IB
RB = 31 Ω

Zwei Arbeitspunkte, einer leitend einer gesperrt
Beide unterhalb der Verlusthyperbel, zwischen beiden Punkten Arbeitsgerade
Während den Umschaltvorgängen Erwärmung zu vernachlässigen
Beim Schalten hoher Frequenzen hinweise des Herstellers beachten

Bistabile Kippstufe
wird auch als Flip-Flop oder Speicherstufe bezeichnet
sie kann zwei stabile Zustände annehmen
jeweils nur ein Transistor leitend
muss von außen angesteuert werden
0 Signal sperrt leitenden Transistor
1 Signal lässt gesperrten Transistor leiten
Statische Eingänge

Arbeiten mit permanenten Signalen

Es werden dafür auch Dioden entsprechend des gewollten statischen Signals benutzt

Dies geschieht mit Hilfe der Sperr- bzw. Durchlassrichtung
Dynamische Eingänge

Jedes Eingangssignal durchläuft ein Differenzierglied

Differenzierglied Ausgang liefert Impulse mit steile Flanken

Dioden werden nachgeschaltet welche entweder negative oder positive Impulse zum Schalten
der Kippstufe durchlassen

S e i t e 59 | 64