Page 62 - Antrieb

17.3 Unipolare Transistoren

Bei unipolaren Transistoren fließt der Laststrom über einen Halbleiter desselben Leitungstyps (p-
oder n- Leiter) nicht aber über einen pn- Übergang
Sperrschicht- Feldeffekttransistoren

Der Widerstand in der Halbleiterstrecke wird durch ein elektrisches Feld geändert
Dieses Beeinflusst den Leiterquerschnitt und damit den fließenden Laststrom
Diese Kanäle unterscheiden in p-Kanal und n-Kanal Transistoren
Anschlüsse: Drain und Source sowie Gate
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Durch den Eingangswiderstand von bis zu 10 Ω wird eine fast Leistungslose Steuerung
ermöglicht

Kennlinien
Die Spannung am Gate darf nicht positiv werden da sonst ein Gatestrom fließt - ein
leistungsloses Steuern wird unmöglich
Je negativer die Spannung am Gate wir desto dicker wird die Sperrschicht und damit der leitende
n- Kanal dünner
Erzeugen der negativen Vorspannung

Da am Gate kein Strom fließt fällt auch keine Spannung ab
Der Laststrom hat am Source- Widerstand einen Spannungsabfall zur Folge
Source misst +3 Volt gegen Masse  Gate hat damit eine Spannung von -3 Volt

Anwendungen von J- Fet (Sperrschicht Feldeffekttransistor)
Verstärker
Schaltstufen

Oszillatoren

Die mit J- FET aufgebauten Schaltungen ähneln Elektronenröhrenschaltungen mit kleineren
Spannungen
Unijunktion - Transistor
(Doppelbasis Transistor)
Bestehend aus n- Leitender Kristallbahn zwischen B1 und B2
In die Kristallbahn wurde eine kleine p- Leitende Zone dotiert und mit einem Anschluss versehen
n- Leiter zwischen den Basen hat einen hohen Widerstand
es fließt kaum Strom
Ab einer bestimmten Spannung UEB1 wird der pn- Übergang zwischen Basis1 und Emitter leitend
Emitterstrom überschwemmt Kristall zwischen den Basen  Strom steigt sprunghaft an
Wird die Talspannung unterschritten geht die Diodenstrecke des Transistors in Sperrzustand über
Wird hauptsächlich als einfacher Impulsgenerator zum Zünden von Thyristoren und in
Schwellwertstufen verwendet
Doppelbasis Transistor:
Aufbau, Schaltzeichen und Ersatzschaltung
Grenzspannungen

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